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靜電紡絲是一種材料纖維制造工藝,在靜電場的作用下,聚合物溶液克服表面張力形成噴射細流,最終落在接收裝置上固化成纖維。靜電紡絲與等離子體關系密切,細流在靜電力作用下運動的過程可用磁流體方程描述,同時等離子體也可用于纖維改性處理。納米纖維由于其表面積高,孔隙率大等優點,被廣泛應用于環保、生物醫學、能源動力等領域。
通過靜電紡絲法制備TMO/C復合納米纖維,在制備技術和材料性能方面特點:
(1)一維納米纖維的優勢在于較大的比表面積和良好的柔性,相互交纏之后形成三維結構的納米纖維膜,具有優異的力學性能和電化學性能。
(2)將碳材料與TMO復合,一方面碳材料良好的導電性可以彌補TMO材料電導率的不足,另一方面穩定的結構還可以有效緩解TMO材料的體積膨脹。
(3)各種多孔、核殼、中空的結構可以增大電解液與電極材料的接觸面積,增加活性位點和離子傳輸通道,提高反應效率。
(4)具有一定柔性的復合納米纖維材料可以直接作為鋰離子電池的負極材料,不需要額外添加黏結劑、導電劑等,減少成本且綠色環保。
多孔薄膜PLA納米纖維500nm(厚度:100/200/500)um或1cm
多孔薄膜PLA納米纖維200nm(厚度:200/500)um或1cm
多孔薄膜PLGA納米纖維500nm(厚度:200/500)um或1cm
多孔薄膜PLGA納米纖維200nm(厚度:200/500)um或1cm
多孔薄膜PCL納米纖維500nm(厚度:200/500)um或1cm
多孔薄膜PCL納米纖維200nm(厚度:100/200/500)um或1cm
開放式孔構薄膜PLA納米纖維500nm(厚度:200/500)um或1cm
開放式孔構薄膜PLA納米纖維200nm(厚度:200/500)um或1cm
開放式孔構薄膜PLGA納米纖維500nm(厚度:200/500)um或1cm
開放式孔構薄膜PLGA納米纖維200nm(厚度:200/500)um或1cm
開放式孔構薄膜PCL納米纖維500nm(厚度:200/500)um或1cm
開放式孔構薄膜PCL納米纖維200nm(厚度:200/500)um或1cm
PS納米纖維網格濾片150nm(厚度:600um)(直徑3/8cm)(網格空隙:200um)
PS納米纖維網格濾片300nm(厚度:1000um)(直徑3/8cm)(網格空隙:400um)
PS納米纖維薄膜網格濾片150nm(厚度:1cm)(網格空隙:200um)
PS納米纖維薄膜網格濾片300nm(厚度:1cm)(網格空隙:400um)
PS納米纖維內嵌網格濾片150nm(厚度:600um)(孔數:6/12/24/48/96)(網格空隙:200um)
PLGA納米纖維網格膜片150nm(厚度:600um)(直徑:3/8cm)(網格空隙:200um)
PLGA納米纖維網格膜片300nm(厚度:1000um)(直徑:3/8cm)(網格空隙:400um)
PLGA納米纖維薄膜網格膜片150nm(網格空隙:200um)
PLGA納米纖維薄膜網格膜片300nm(網格空隙:400um)
PLGA納米纖維內嵌網格膜片150nm(厚度:600um)(孔數:6/12/24/48/96)(網格空隙:200um)
PLA納米纖維網格膜片150nm(厚度:600um)(直徑:3/8cm)(網格空隙:200um)
PLA納米纖維網格膜片300nm(厚度:1000um)(直徑:3/8cm)(網格空隙:400um)
PLA納米纖維薄膜網格膜片150nm(網格空隙:200um)
PLA納米纖維薄膜網格膜片300nm(網格空隙:400um)
PLA納米纖維內嵌網格膜片150nm(厚度:600um)(孔數:6/12/24/48/96)(網格空隙:200um)
PCL納米纖維網格膜片150nm(厚度:600um)(直徑:3/8cm)(網格空隙:200um)
PCL納米纖維網格膜片300nm(厚度:1000um)(直徑:3/8cm)(網格空隙:400um)
PCL納米纖維薄膜網格膜片150nm(網格空隙:200um)
PCL納米纖維薄膜網格膜片300nm(網格空隙:400um)
PCL納米纖維內嵌網格膜片150nm(厚度:600um)(孔數:6/12/24/48/96)(網格空隙:200um)
聚己內酯(PCL)-明膠納米纖維膜
聚己內酯靜電紡絲纖維膜
聚乙烯醇靜電紡絲纖維膜
聚乙烯吡咯烷酮靜電紡絲纖維膜
明膠靜電紡絲纖維膜
聚氧化乙烯靜電紡絲纖維膜
聚偏氟乙烯靜電紡絲纖維膜
聚丙烯腈靜電紡絲纖維膜
聚砜靜電紡絲纖維膜
聚苯乙烯靜電紡絲纖維膜
聚乙烯吡咯烷酮(PVP)/PEO(聚氧化乙烯)纖維膜
聚乳酸-乙醇酸/氧化鋅納米靜電紡絲纖維膜
聚乳酸/納米羥基磷灰石納米纖維支架
磁性四氧化三鐵聚己內酯(PCL) 靜電紡絲纖維膜
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