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CVD法 氧化硅基底單層石墨烯薄膜
| Catalog # | Pkg Size | Price | Quantity | Shopping Cart |
|---|---|---|---|---|
| R-AB-494 | 1 | ￥ 1 | 加入購物車 | |
Datasheet
MSDS
COA
結(jié)構(gòu)式
| 外觀 | N/A |
| 分子量 | N/A |
| 溶解度 | N/A |
| CAS號(hào) | N/A |
| 質(zhì)量控制 | N/A |
| 儲(chǔ)存條件 | N/A |
| 保存時(shí)間 | N/A |
| 其他信息 | 價(jià)格1，就是價(jià)格現(xiàn)詢 |
產(chǎn)品名稱：CVD法 氧化硅基底單層石墨烯薄膜
產(chǎn)品性質(zhì)
薄膜顏色：無色透明
產(chǎn)品牌號(hào): JCGRFSIO
方阻：?jiǎn)螌覣 300-600 Ω/□ 單層B 700-1500 Ω/□ 少層 500-1200Ω/□
石墨烯薄膜的層數(shù)為單層或少層（小于10層）。該薄膜完整性高，單層覆蓋率高，導(dǎo)電性好，遷移率可達(dá)～6000cm2/vs。
石墨烯轉(zhuǎn)移至氧化硅片上，客戶也可以自己提供氧化硅片，我們轉(zhuǎn)移。
氧化硅參數(shù)：
類型：Ｐ型重?fù)诫s（R:3×10-3Ωcm）
厚度：525±20μm
氧化層厚度：300nm
最大可做 7cm*7cm（可內(nèi)接4英寸氧化硅基底或滿轉(zhuǎn)）
本產(chǎn)品應(yīng)密封保存于干燥環(huán)境中，且溫度低于35℃。嚴(yán)禁與易揮發(fā)物質(zhì)和污染源接觸。遠(yuǎn)離火源。
備注：A級(jí)單層覆蓋率大于97% ，B級(jí)單層覆蓋率大于85%，少層石墨烯厚度在10 層以內(nèi)，可提供定制服務(wù)
西安瑞禧生物科技有限公司提供多種科研試劑材料。
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薄膜顏色：無色透明
產(chǎn)品牌號(hào): JCGRFSIO
方阻：?jiǎn)螌覣 300-600 Ω/□ 單層B 700-1500 Ω/□ 少層 500-1200Ω/□
石墨烯薄膜的層數(shù)為單層或少層（小于10層）。該薄膜完整性高，單層覆蓋率高，導(dǎo)電性好，遷移率可達(dá)～6000cm2/vs。
石墨烯轉(zhuǎn)移至氧化硅片上，客戶也可以自己提供氧化硅片，我們轉(zhuǎn)移。
氧化硅參數(shù)：
類型：Ｐ型重?fù)诫s（R:3×10-3Ωcm）
厚度：525±20μm
氧化層厚度：300nm
最大可做 7cm*7cm（可內(nèi)接4英寸氧化硅基底或滿轉(zhuǎn)）
本產(chǎn)品應(yīng)密封保存于干燥環(huán)境中，且溫度低于35℃。嚴(yán)禁與易揮發(fā)物質(zhì)和污染源接觸。遠(yuǎn)離火源。
備注：A級(jí)單層覆蓋率大于97% ，B級(jí)單層覆蓋率大于85%，少層石墨烯厚度在10 層以內(nèi)，可提供定制服務(wù)
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