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瑞禧定制晶格條紋狀氨基/羥基功能化GQD@VMSF石墨烯量子點

量子點又可稱為半導體納米晶體，目前報道的主要是由Ⅱ-V族(如 MgS、CdSe.ZnTe、HgSe)和Ⅲ-V族(如 GaAs、InGaAs、InP、InAs)元素組成的均一或核/殼結構(如CdS/HgS/CdS)納米顆粒。今天瑞禧生物小編分享量子點修飾電極，一起看看吧：

以1,3,6-三硝基芘為碳源在堿性條件下經水熱法合成，1,3,6-三硝基芘及OH-GQDs 的合成。OH-GQDs的具體合成步驟如下:在0.125 molL的NaOH溶液中加入7.3 mmolL的三硝基芘，超聲分散后，在200℃下水熱反應2h得到無明顯顆粒的紅棕色溶液。將溶液裝入透析袋中透析2天以截留分子量大于1000 Da的OH-GQDs，溶液經冷凍干燥得到OH-GQDs固體。因此通過對VMSF/ITO(工作電極)施加恒定的正電壓,采用電泳法將OH-GQDs修飾在 VMSF孔道中制備得到OH-GQD@VMSF/ITo。

通過TEM和AFM對合成所得OH-GQDs的尺寸大小、分布和高度進行表征。圖(A)說明通過水熱法制備的OH-GQDs尺寸大小均一。經統計OH-GQDs的平均尺寸為1.8 nm。與文獻報道方法GQDs尺寸相比，本次采用縮短水熱反應時間的方式可以減小GQDs尺寸。在高分辨TEM(HRTEM)圖中可以觀察到清晰的晶格條紋，其晶格間距為0.21 nm 與石墨烯(100)晶面一致。圖 (B)為OH-GQDs的AFM表征結果，表明OH-GQDs的平均厚度約0.8 nm，證明合成所得的OH-GQDs具有單層石墨烯結構。

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