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晶體結(jié)構(gòu)即晶體的微觀結(jié)構(gòu),是指晶體中實(shí)際質(zhì)點(diǎn)(原子、離子或分子)的具體排列情況。自然界存在的固態(tài)物質(zhì)可分為晶體和非晶體兩大類,固態(tài)的金屬與合金大都是晶體。晶體與非晶體的最本質(zhì)差別在于組成晶體的原子、離子、分子等質(zhì)點(diǎn)是規(guī)則排列的(長程序),而非晶體中這些質(zhì)點(diǎn)除與其最相近外,基本上無規(guī)則地堆積在一起(短程序)。金屬及合金在大多數(shù)情況下都以結(jié)晶狀態(tài)使用。晶體結(jié)構(gòu)是決定固態(tài)金屬的物理、化學(xué)和力學(xué)性能的基本因素之一。
晶體是各向異性的均勻物體。生長良好的晶體,外觀上往往呈現(xiàn)某種對稱性。從微觀來看,組成晶體的原子在空間呈周期重復(fù)排列。即以晶體中的原子或其集合為基點(diǎn),在空間中三個不共面的方向上,各按一定的點(diǎn)陣周期,不斷重復(fù)出現(xiàn)。如從重復(fù)出現(xiàn)的每個基元中各取某一相當(dāng)點(diǎn),則這些點(diǎn)合在一起形成一個空間點(diǎn)陣的一部分。確切地說,點(diǎn)陣是一組按連接其中任何兩點(diǎn)的矢量進(jìn)行平移后而能復(fù)原的點(diǎn)的重復(fù)排列。
晶體大小:可定制
晶體種類:Magnetic semiconductor,紅外半導(dǎo)體,拓?fù)洳牧希瑹犭姴牧?br />表征方法:EDS,SEM,Raman
bandgap:0.4 eV
規(guī)格:注:可按客戶需求定制相應(yīng)的方向和尺寸。
包裝:超凈袋真空包裝
傳導(dǎo)類型:N型;半絕緣型
晶體生長方式: CVT 化學(xué)氣相傳輸法
拋向:單拋或雙拋
可用表面積:> 90%
瑞禧科研定制:
PtTe2 晶體拓?fù)浣^緣體、ReS2 二硫化錸、ReSe2 二硒化錸、RuCl3三氯化釕晶體、Sb2S3晶體、Sb2Te2Se晶體、Sb2Te3 碲化銻 晶體、Sb2TeSe2晶體、Sb2Te晶體、Sb16Te3晶體、SbTe晶體、Si2CuP3晶體、SiTe2晶體、SnBi2Te4晶體、SnBi4Te7晶體、SnPS3晶體、SnPSe3晶體、SnS 硫化亞錫 晶體、SnS2 硫化錫、SnSe 硒化亞錫 晶體、SnSe2 二硒化錫、SnSe2 二硒化錫 藍(lán)寶石基底SnSe2薄膜、SnTe晶體、MoS2 二硫化鉬、MoSe2 二硒化鉬、MoSSe 鉬硫硒、MoTe2 二碲化鉬;MoTe2 晶體2H 半導(dǎo)體相、MoVSe4晶體、MoWS4 鉬鎢硫、MoWSe4 (WMoSe4) 鉬鎢硒、Nb2SiTe4晶體、Nb3GeTe6晶體、NbReS4晶體、NbS2(2H) 硫化鈮、NbSe2 二硒化鈮、NbTe2 二碲化鈮 (1g)、NbTe2晶體、NbTe4晶體、Ta2NiS5 晶體、Ta2NiSe5 晶體、TaCo2Te2晶體、TaNi2Te2晶體、TaTe2 碲化鉭晶體、TaTe2 碲化鉭(1g)、TiS2 硫化鈦、TiSe2 硒化鈦、V2NiSe4晶體、VI3 碘化釩晶體、VS2二硫化釩晶體、VSe2 硒化釩、WS2 二硫化鎢 晶體、WSe2 二硒化鎢、WTaSe4 鎢鉭硒晶體、WTe2 碲化鎢、Zr5Te4晶體、ZrGeTe4晶體、ZrS2 二硫化鋯、ZrS3 三硫化鋯、ZrSe2 二硒化鋯、ZrSe3 三硒化鋯、ZrTe3 拓?fù)浣^緣體、ZrTe5晶體、α-MoO3 晶體、摻釩(V)MoSe2晶體 MoVSe4、摻錸(Re) WSe2晶體 WReSe4、摻錸(Re)MoSe2晶體 MoReSe4、摻鉬(Mo:25%) WSe2晶體 MoWSe4、摻鈮(Nb)MoS2晶體 MoNbS4、摻鈮(Nb)MoSe2晶體 MoNbSe4
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