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二氧化硅薄膜一種無定形玻璃 狀結構的電解質膜，具有良好的硬度、光學、介電性質及耐磨、抗蝕等特性,在光學、微電子等領域有著廣泛的應用前景,是目前國際上廣泛關注的功能材料。

二氧化硅薄膜的制備方法有5種：
1.化學氣相淀積法

化學氣相淀積是利用化學反應的方式，在反應室內，將反應物（通常是氣體）生成固態生成物，并淀積在硅片表面是的一種薄膜淀積技術。因為它涉及化學反應，所以又稱CVD。

2.物理氣相淀積

物理氣相沉積主要分為蒸發鍍膜、離子鍍膜和濺射鍍膜三大類。其中真空蒸發鍍膜技術出現較早,但此法沉積的膜與基體的結合力不強。
3.熱氧化法

熱氧化法又分為干氧氧化、濕氧氧化、水汽氧化3種。
4.溶膠凝膠法

溶膠凝膠法是一種低溫合成材料的方法,硅酸乙酯在酸性條件下水解可以得到“玻璃狀透明的”SiO2材料,在黏性的凝膠中可制備出纖維及光學透鏡片。這種方法的制作費用低、鍍膜簡單、便于大面積采用、且光學性能好,適用于立體器件。通常,多孔SiO2薄膜的特性依賴溶膠凝膠的制備條件、控制實驗條件(如溶膠組分、pH值、老化溫度及時間、回流等)，可獲得折射率在1.009～1.440、連續可調、結構可控的SiO2納米網絡。
5.液相沉積法

在化學沉積法中.使用溶液的濕化學法因需要能量較小，對環境影響較小，被稱為sof t2p rocess柔性過程)。近年來在濕化學法中發展起一種液相沉積法(LPD)，SiO2薄膜是用LPD法最早制備成功的氧化物薄膜。通常使用H2SiF6的水溶液為反應液，在溶液中溶入過飽和的Sio 2(以SiO 2、硅膠或硅酸的形式),溶液中的反應為:H2SiF6+ 2H2o SiO 2+6HF。目前可在相當低的溫度(～40°C)成功地在GaA s基底上生長SiO 2薄膜，其折射率約為1.423。PLD成膜過程不需熱處理，不需昂貴的設備，操作簡單，可以在形狀復雜的基片上制膜，使用廣泛。

SiO2具有硬度高、耐磨性好、絕熱性好、光透過率高、抗侵蝕能力強以及良好的介電性質。通過對各種制備方法、制備工藝的開發和不同組分配比對二氧化硅薄膜的影響研究,制備具有優良性能的透明二氧化硅薄膜的工作已經取得了很大進展。薄膜在諸多領域得到了很好的應用,如用于電子器件和集成器件、光學薄膜器件等相關器件中。利用納米二氧化硅的多孔性質可應用于過濾薄膜、薄膜反應和相關的吸收劑以及分離技術、分子工程和生物工程等,從而在光催化、微電子和透明絕熱等領域具有很好的應用前景。

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