- 029-86354885
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碳化硅是一種具有優(yōu)秀的物理和化學(xué)性質(zhì)以及良好生物相容性的間接帶隙半導(dǎo)體,它的塊體材料的發(fā)光效率極低。由于量子限制效應(yīng),當(dāng)把碳化硅的尺寸減小到小于大約十納米時(shí),它將具有很強(qiáng)的波長連續(xù)可調(diào)的發(fā)光,這使得碳化硅納米材料具有良好的應(yīng)用前景。然而,人們對于碳化硅納米材料的發(fā)光機(jī)制尚未完全理解,而碳化硅量子點(diǎn)由于自身的性質(zhì)使其在做成固體薄膜時(shí)容易團(tuán)聚而不發(fā)光。
通過一步法完成SiC量子點(diǎn)的合成和表面改性,并對其微觀結(jié)構(gòu)、光學(xué)性質(zhì)和理化性質(zhì)進(jìn)行了表征,結(jié)果表明該量子點(diǎn)半徑小于激子波爾半徑,導(dǎo)致了量子限制效應(yīng)現(xiàn)象而產(chǎn)生光致發(fā)光,通過對其紅外光譜的分析發(fā)現(xiàn)碳化硅量子點(diǎn)表面既已耦合了巰基,因此該量子點(diǎn)可以作為量子點(diǎn)標(biāo)記技術(shù)中又一種新型的標(biāo)記材料,然后用SiC量子水相溶液對有、無根皮苷環(huán)境下的串珠鐮刀菌進(jìn)行標(biāo)記并長時(shí)程熒光成像,同時(shí)讓已成功標(biāo)記的該菌侵染蘋果植株幼苗,試驗(yàn)表明,根皮苷能夠促進(jìn)串珠鐮刀菌的生長,主要表現(xiàn)在菌落成長的速度和數(shù)量上,進(jìn)一步研究發(fā)現(xiàn),串珠鐮刀菌生長態(tài)勢隨周圍環(huán)境中根皮苷含量的增加而更趨旺盛,此外串珠鐮刀菌對蘋果幼苗侵染的動態(tài)示蹤過程表明幼苗的第一感染部位為根毛區(qū)
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